檢索結果:共9筆資料 檢索策略: "濺鍍法".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="趙良君"
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此實驗以反應式離子束濺鍍法成長氧化銀薄膜,採用毛細式離子源(6∼8 kV、100∼500 uA)及陽極層離子源 (0.7 kV、13.5 mA) ,同時通入氬氣及氧氣,氬氣為濺鍍氣體,氧氣為反應氣體…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶,沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上,隨後於氧與氮氣氛下退火,討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值,ZnO(002)繞…
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本研究以雙離子槍反應式離子束濺鍍法沉積摻鉺氧化鋅薄膜,藉由控制靶材所照射的離子電流以控制濺擊產率而達到控制鉺摻雜濃度之目的。在本實驗中摻鉺的氧化鋅薄膜可以得到位於近紅外範圍之1.0 (4I11/2 …
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以離子濺鍍法,在沈積氧化鋅薄膜同時,除了通入氬氣作為轟擊靶材之離子源,也直接加入氮氣,可將氮摻雜到氧化鋅薄膜,形成摻氮氧化鋅(ZnO:N)。以XRD分析成長溫度為300C之摻氮氧化鋅薄膜中只有氧化…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳薄膜, 並且研究氧氣流量比及沉積基板溫度對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示,在 300℃下的NiO(200)的半高寬會比在 150℃下的NiO(…
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本實驗為利用射頻磁控濺鍍法沉積鋅薄膜,藉由調變射頻功率及靶材至基板的距離可控制鋅薄膜的結晶及表面型貌。實驗結果顯示多晶鋅薄膜在經450 ℃熱氧化可成長較多垂直於基板的氧化鋅奈米線,其平均長度約為4 …
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本實驗以熱氧化法成長出摻鈷的氧化鋅奈米線結構,以磁控濺鍍法先沉積純鋅膜與摻鈷的鋅薄膜兩種,實驗結果發現純鋅膜經熱氧化後會形成奈米針結構,而有摻雜鈷的鋅膜在熱氧化後會轉變為奈米線結構,其結構上受到摻雜…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳及氧化鎳摻銅薄膜,並且探討氧氣流量比對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示,在300C下沉積氧化鎳薄膜,當Opf = 0.5時有NiO (200)…
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本實驗使用反應式離子束共濺鍍Zn及Mg金屬靶沉積MgxZn1-xO薄膜,利用不同離子束電流調整x = 0 ~ 0.46,薄膜沉積於Si (100)、玻璃及石英基板。XRD量測結果中,MgxZn1-x…